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MSL60P03
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.2A
- 描述
- P-Channel Power MOSFET,-60V,-3.2A,TO-223
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSL60P03
- 商品编号
- C42407746
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将 RDS(ON) 降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS 性能，且具备全面功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON) = 7.2 mΩ（VGS = 10 V 时）
- 快速开关
- 提高 dv/dt 能力
- 100% 保证 EAS 性能
- 有绿色环保器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/核心电压-负载点 (POL) 应用-开关电源二次侧同步整流