温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSP60N085
1个N沟道 耐压:60V 电流:63A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N-Channel Power MOSFET,60V,63A,TO-220
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSP60N085
- 商品编号
- C42407750
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 472pF |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计,可将RDS(ON)降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求,100% 经过 EAS 测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON) = 8.5 m Ω @ VGS = 10 V
- 超低栅极电荷
- 出色的 dv/dt 能力
- 100% EAS 保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-网络-负载开关-同步整流器-快速充电器