温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MST26P05
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- P-Channel Power MOSFET,-30V,-4.3A,SOT-26
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MST26P05
- 商品编号
- C42407752
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将 RDS(ON) 降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且具备全功能可靠性认证。
商品特性
- 在 VGS = 10 V 时，RDS(ON) = 6.5 mΩ
- 快速开关
- 提高 dv/dt 能力
- 100% 保证 EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 主板 / 显卡 / 核心电压
- 负载点 (POL) 应用
- 开关电源 (SMPS) 二次侧同步整流
相似推荐
其他推荐