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MST26P11B
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.4A
- 描述
- P-Channel Power MOSFET,-60V,-2.4A,SOT-26
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MST26P11B
- 商品编号
- C42407753
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 531pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
MST26P11B是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。该器件符合RoHS和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
-电机驱动-电动工具-LED照明
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