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MSH30C16D
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:33A
- 描述
- N & P-Channel MOSFET,30V,DFN5X6
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSH30C16D
- 商品编号
- C42407731
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.213nF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 适用于4.5V栅极驱动应用
- N沟道:Vgs为10V时最大导通电阻Ron = 12mΩ;Vgs为4.5V时最大导通电阻Ron = 16mΩ
- P沟道:Vgs为 - 10V时最大导通电阻Ron = 17mΩ;Vgs为 - 4.5V时最大导通电阻Ron = 26mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%经过EAS测试
- 提供绿色环保器件
应用领域
-直流风扇-电机驱动应用-网络设备-半桥/全桥拓扑结构