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MSH100N020D
MSH100N020D
- 描述
- N-Channel Dual MOSFET,100V,28.5A,DFN5X6
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSH100N020D
- 商品编号
- C42407729
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 849pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求,100% 经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON) = 19.5 m Ω @ VGS = 10 V
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制 -100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-网络设备-负载开关-LED应用