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MSD100N25
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
- 描述
- N-Channel Power MOSFET,100V,25A,TO-252
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSD100N25
- 商品编号
- C42407723
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.515克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.848nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON) = 48 mΩ(VGS = 10 V时)
- 低反向传输电容
- 高开关速度
- 100%经过EAS测试
- 有绿色环保型器件可供选择
应用领域
-网络-负载开关-LED应用