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CRSZ025N10NZ
SkyMOS 1N 型 MOSFET
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- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CRSZ025N10NZ
- 商品编号
- C42407438
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.0612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 254nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.0325nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.169nF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V
- 栅源电压（VGS）= 2.5V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 300mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 250mΩ（典型值）
- 静电放电（ESD）防护能力高达2KV
应用领域
- 负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换