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CMSC5006A
P沟道 -60V -15A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 3.3x3.3，P沟道，耐压：-60V，电流：-15A，10V内阻:75mΩ,4.5V内阻：115mΩ,功率：40W,CISS(Typ)：870pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC5006A
- 商品编号
- C42388491
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 870pF |
商品概述
CMS4947B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-驱动要求简单-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-电源管理
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