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GBS65041CTOB
N-channel 650V 34mΩ (Typ) Power MOSFET
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- 描述
- 这款650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。凭借开关性能和传导性能之间的出色平衡，GBS65041C在各种开关拓扑中都能提供极高的效率。超低的栅极电荷使GBS65041C适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBS65041CTOB
- 商品编号
- C42374528
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.813333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AGMH065N10C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器