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DOD120N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- N管/40V/120A/3.5mΩ/(典型2.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD120N04
- 商品编号
- C42374601
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.594nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 339pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V，漏极电流（ID） = 120 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 3.5 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。