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DOZ20N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- N管/60V/20A/30mΩ/(典型24mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ20N06
- 商品编号
- C42374593
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术，以最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 20 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，导通状态下的漏源电阻（RDS(ON)） < 30 mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证雪崩能量（EAS）
- 有环保型器件可供选择。