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DOD75N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:75A
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- 描述
- N管/20V/75A/5mΩ/(典型4mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD75N02
- 商品编号
- C42374597
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.499nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 75 A，在栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5 mΩ
- 栅极电荷低。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(on)）。
- 采用散热性能良好的封装。