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DOZ10N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:10A

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描述
N管/100V/10A/125mΩ/(典型92mΩ)
商品型号
DOZ10N10
商品编号
C42374594
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)811pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

AGM205S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低RDS(ON),可最大限度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

  • MB/VGA Vcore
  • 开关电源二次同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF