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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOZ10N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:10A

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描述
N管/100V/10A/125mΩ/(典型92mΩ)
商品型号
DOZ10N10
商品编号
C42374594
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)811pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • VDS = 100 V,ID = 10 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 125 mΩ
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有环保器件可供选择。

应用领域

  • MB/VGA Vcore
  • 开关电源二次同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF