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DOZ50N04实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOZ50N04

1个N沟道 耐压:40V 电流:50A

描述
N管/40V/50A/7.5mΩ/(典型5.7mΩ)
商品型号
DOZ50N04
商品编号
C42374591
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)21W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)2.399nF
反向传输电容(Crss)164pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)191pF

商品概述

AGM205AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

  • MB/VGA内核电压
  • 开关电源二次同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF