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MOT16N65T
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：高开关速度。 100%雪崩测试。应用：高效开关模式电源。 基于半桥的电子灯镇流器
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT16N65T
- 商品编号
- C42368030
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.932克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.808nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SI2308是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS）和效率。 SI2308符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术