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MOT1532D
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗。 可靠耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用：便携式设备和电池供电系统。 笔记本电脑的电源管理
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT1532D
- 商品编号
- C42368033
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V；3.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
80N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 80N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩耐量测试（EAS），具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%通过雪崩耐量测试（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术