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MOT80P06D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 133pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- -20V、-5.0A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 30mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有绿色环保器件可选
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器