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MOT12N65T
N沟道，650V、0.62Ω、12A
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- 描述
- 特性：低导通电阻 (RDS(on) ≤ 0.72Ω)。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。应用：电机控制和驱动。 同步整流
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT12N65T
- 商品编号
- C42368031
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器