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MOT6142D
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 无铅产品。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT6142D
- 商品编号
- C42368032
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
STL165N4F8AG是一款采用STripFET F8技术设计的40 V N沟道增强型功率MOSFET，具有改进的沟槽栅极结构。 它确保了极低导通电阻的先进品质因数，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- MSL1等级
- 最高工作结温175 °C
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷Qg
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 汽车电机控制
- 车身与便利系统
- 底盘与安全系统
- 内燃机动力系统