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STD25NF10T4
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- 该功率MOSFET系列采用STripFET™工艺开发，此工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC - DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD25NF10T4
- 商品编号
- C435948
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.508克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@80V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交9单
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