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STD5N20LT4
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
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- 描述
- STD5N20L采用了意法半导体（ST）专有STripFET技术的最新先进设计规则。它适用于要求最为严苛的直流电机控制和照明应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD5N20LT4
- 商品编号
- C435951
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 242pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STD5N20L采用了意法半导体（ST）专有的STripFET™技术的最新先进设计规则。它适用于要求最为严苛的直流电机控制和照明应用。
商品特性
- 典型RDS(导通) = 0.65 Ω(@ 5 V)
- 降低传导损耗
- 低输入电容
- 低阈值器件
应用领域
- 不间断电源(UPS)和电机控制
- 照明