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STD35NF06T4
1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- 这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、稳健的雪崩特性，且光刻对准步骤要求较低，因此具有出色的制造重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD35NF06T4
- 商品编号
- C435949
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,17.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且关键对准步骤较少，因此具有出色的制造重现性。
商品特性
- 卓越的dv/dt能力
- 面向应用的特性
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
- DPAK
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