IRS21281STRPBF-JSM
300V集成自举带过流检测的单通道高侧栅极驱动芯片
- 描述
- IRS21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRS21281STRPBF-JSM
- 商品编号
- C41421794
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 300mA | |
| 工作电压 | 8V~22V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 80ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 传播延迟 tpLH | 150ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 60uA |
商品概述
IRS21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOP-8封装,可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
商品特性
- 集成自举二极管
- 最高工作电压为 +300V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
- Vs负偏压能力达 -5V
- 输入输出同相位
- 栅极驱动电压:从8V到22V
- 集成欠压锁定电路,欠压阈值6.8V/7.2V
- 芯片传输延时特性:开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/150ns
- 宽温度范围 -40°C~125°C
- Fault引脚故障输出
- 符合RoSH标准
- SOP-8 (S)
应用领域
- DC-DC转换器
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 电机控制和驱动机器人技术
- 电动汽车快速充电
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
