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IRS21281STRPBF-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS21281STRPBF-JSM

300V集成自举带过流检测的单通道高侧栅极驱动芯片

描述
IRS21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IRS21281STRPBF-JSM
商品编号
C41421794
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.105克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)600mA
拉电流(IOH)300mA
工作电压8V~22V
属性参数值
上升时间(tr)80ns
下降时间(tf)40ns
传播延迟 tpLH150ns
传播延迟 tpHL150ns
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)60uA

商品概述

IRS21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOP-8封装,可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

  • 集成自举二极管
  • 最高工作电压为 +300V
  • 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
  • dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
  • Vs负偏压能力达 -5V
  • 输入输出同相位
  • 栅极驱动电压:从8V到22V
  • 集成欠压锁定电路,欠压阈值6.8V/7.2V
  • 芯片传输延时特性:开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/150ns
  • 宽温度范围 -40°C~125°C
  • Fault引脚故障输出
  • 符合RoSH标准
  • SOP-8 (S)

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 开关电源
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源 (UPS)
  • 电机控制和驱动机器人技术
  • 电动汽车快速充电

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(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个4000个/圆盘

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