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IR2153STRPBF-JSM

600V集成自举二极管的自振荡半桥驱动器

描述: 集成了50%占空比振荡器的600V半桥栅极驱动器，能够驱动N型MOSFET或IGBT器件。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: IR2153STRPBF-JSM
商品编号: C41421803
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.108克(g)

商品参数

商品概述

IR2153(1)S是一款集成了50%占空比振荡器的600V半桥栅极驱动器，能够驱动N型MOSFET或IGBT器件。IR2153(1)S的CT端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当VCC电压低于欠压阈值时，IR2153(1)S会将CT端电压拉低，同时关闭高低侧输出。IR2153(1)S具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到+1.2A/-1.5A。 IR2153(1)S内置死区逻辑，防止高低侧功率MOSFET或IGBT器件直通。另外，IR2153(1)S集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。采用SOP8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

集成50%占空比振荡器和半桥驱动器
CT，RT可编程振荡器
VCC到COM之间有15.6V齐纳钳位
微功耗启动
CT引脚非锁定关断（1/6th VCC）
半桥浮地通道最高工作电压为+600V
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
欠压锁定（上升/下降）：
- VCC为11/9V
- VBS为9/8V
输出拉/灌电流能力为+1.2A/-1.5A
内置死区时间：
- IR2153为1.1us
- IR21531为0.6us
集成自举二极管
符合RoHS标准

应用领域

电子镇流器
高压电源
电机控制与驱动
机器人及自动化
电动工具

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	12.5V~15.6V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	60ns
	下降时间(tf)	50ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护
	工作温度	-40℃~+125℃