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MJD45H11T4G
PNP 电流:8A 电压:80V
- 描述
- 应用于大功率、高电流开关及放大电路而设计，是电子工程师的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- MJD45H11T4G
- 商品编号
- C41421809
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44528克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 40MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
低集电极发射极饱和电压快速开关速度与类型互补批次间变化最小确保器件性能稳定可靠运行
商品特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 快速开关速度
- 与MJD44H11类型互补
- 批次间变化最小，确保器件性能稳定可靠运行
应用领域
- 设计用于通用功率放大和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级
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