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IR25606STRPBF-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR25606STRPBF-JSM

700V集成自举高低侧功率半桥驱动芯片

描述
电机驱动,逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IR25606STRPBF-JSM
商品编号
C41421795
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.104克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)600mA
拉电流(IOH)300mA
属性参数值
工作电压10V~20V
上升时间(tr)75ns
下降时间(tf)35ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)120uA

商品概述

IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达700V。采用SOP-8封装,可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

  • 集成自举二极管
  • 最高工作电压为+700V
  • 兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
  • dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
  • Vs负偏压能力达-9V
  • 集成VCC欠压锁定电路
    • 欠压锁定正向阈值8.9V
    • 欠压锁定负向阈值8.2V
  • 芯片传输延时特性
    • 开通/关断传输延时Ton/Toff = 130ns/130ns
    • 延迟匹配时间50ns
  • 防止直通保护
    • 死区时间540ns
  • 宽温度范围-40°C~125°C
  • 输出级拉电流/灌电流能力300mA/600mA
  • 符合RoSH标准
  • SOP-8 (S)

应用领域

  • 电机控制
  • 空调/洗衣机
  • 通用逆变器
  • 逆变器驱动

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个4000个/圆盘

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