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DRV8300DPWR-JSM

1.5A 250V高低侧同相集成自举的三相栅极驱动芯片

描述: DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: DRV8300DPWR-JSM
商品编号: C41421800
商品封装: TSSOP-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.179875克(g)

商品参数

商品概述

DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。DRV8300D工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效率。内部防直通和死区电路可以防止两个晶体管同时导通，进一步降低了开关损耗。DRV8300D的欠压锁定功能确保了当供电电压较低时，两个驱动器输出都是低电平。 DRV8300D集成自举二极管，可最大优化芯片外围电路。 DRV8300DPWR为TSSOP20封装，DRV8300DRGER为QFN24封装可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压可达250V
栅极驱动电压5V~20V
兼容3.3/5V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
输入输出同相位
芯片开通/关断延时
- Ton/Toff = 150ns/150ns
- 高低侧延时匹配
防直通保护
- 死区时间：200ns
高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值4.5V
- 欠压锁定负向阈值4.3V
输出拉/灌电流能力：1.2A/1.5A
宽温度范围 -40~125°C
集成自举二极管
符合RoSH标准
采用TSSOP20和QFN24封装

应用领域

电动工具
电机控制
两轮车
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	三相；低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	6
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	5V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	50ns
	传播延迟 tpHL	50ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃