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IRLR2905TRPBF-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLR2905TRPBF-JSM
- 商品编号
- C41421802
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.500867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 50A,在栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 17mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能出色。
应用领域
- 汽车应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源