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MS170N15IDF4实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS170N15IDF4

5件套 1个N沟道 耐压:150V 电流:170A

描述
150V 170A 3.5mΩ SOT-227 低压大电流MOS 模块
商品型号
MS170N15IDF4
商品编号
C41417589
商品封装
SOT-227​
包装方式
管装
商品毛重
40.84克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)925W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)360nC@10V
输入电容(Ciss)23nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2nF

商品概述

这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on),适用于多种应用场景。

商品特性

  • N沟道、低导通电阻RDS(on)
  • 高电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 不间断电源(UPS)
  • 交流电机驱动器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源

数据手册PDF