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MS66N85IDB3

N沟道 耐压:850V 电流:66A

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描述
850V 66A 70mΩ TO-264 MOSFET 高压大电流
商品型号
MS66N85IDB3
商品编号
C41417734
商品封装
TO-264​
包装方式
管装
商品毛重
11.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)850V
连续漏极电流(Id)66A
导通电阻(RDS(on))83mΩ@15V
耗散功率(Pd)1.25kW
阈值电压(Vgs(th))4.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)220nC@10V
输入电容(Ciss)8.6nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)8.5nF

商品特性

  • 国际标准封装
  • RDS(ON)(典型值) = 70 mΩ(IC = 10 A时)
  • 雪崩耐量高
  • 栅极电荷(QG)低
  • 导通电阻极低

应用领域

  • 开关模式和谐振模式
  • 电源
  • DC-DC转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF