嘉立创上市
购物车0
MS66N85IDF4实物图
  • MS66N85IDF4商品缩略图
  • MS66N85IDF4商品缩略图
  • MS66N85IDF4商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS66N85IDF4

5件套 1个N沟道 耐压:850V 电流:66A

描述
850V 66A 70mΩ SOT-227 MOSFET 高压大电流 模块
商品型号
MS66N85IDF4
商品编号
C41417737
商品封装
SOT-227​
包装方式
管装
商品毛重
40.42克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)850V
连续漏极电流(Id)66A
导通电阻(RDS(on))83mΩ@15V
耗散功率(Pd)1.566kW
阈值电压(Vgs(th))4.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)220nC@10V
输入电容(Ciss)8.6nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)8.5nF

数据手册PDF