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ISG3202LA

*半导体*晶体管

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描述
采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装,包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容,提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入,用于控制高端和低端GaN FET,实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度,优化EMI和效率。内置全面的故障保护,包括有源自举(BST)电压控制,防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压;VCC和BST的独立欠压和过压保护;以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路,使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。
商品型号
ISG3202LA
商品编号
C41417827
商品封装
LGA-30(5x6.5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.32696克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置全桥;半桥
驱动通道数2
工作电压4.5V~5.5V
上升时间(tr)10ns
下降时间(tf)3ns
传播延迟 tpLH14ns
属性参数值
传播延迟 tpHL14ns
特性欠压保护(UVP);过压保护(OVP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)1.8V
输入低电平(VIL)1.2V
静态电流(Iq)35uA

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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