ISG3202LA
*半导体*晶体管
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- 描述
- 采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装,包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容,提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入,用于控制高端和低端GaN FET,实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度,优化EMI和效率。内置全面的故障保护,包括有源自举(BST)电压控制,防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压;VCC和BST的独立欠压和过压保护;以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路,使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。
- 商品型号
- ISG3202LA
- 商品编号
- C41417827
- 商品封装
- LGA-30(5x6.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥;半桥 | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 3ns | |
| 传播延迟 tpLH | 14ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 14ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);过压保护(OVP);过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 35uA |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
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