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ISG3202LA
*半导体*晶体管
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- 描述
- 采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。
- 商品型号
- ISG3202LA
- 商品编号
- C41417827
- 商品封装
- LGA-30(5x6.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥；半桥 | |
| 负载类型 | - | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.3A | |
| 拉电流(IOH) | 1.7A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 3ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 14ns | |
| 传播延迟 tpHL | 14ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过压保护(OVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 35uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
该器件是一款100V、60A半桥SolidGaN，采用紧凑型5mm x 6.5mm LGA封装。封装内集成了两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻以及驱动器电源电容，提供了业界最紧凑、最高效的GaN功率解决方案。它提供两个逻辑输入，用于控制高侧和低侧GaN FET，以实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，从而优化电磁干扰和效率。该器件内置全面的故障保护功能，包括有源自举电压控制以防止过充并确保稳定的栅极驱动电压，针对VCC和BST的独立欠压和过压保护，以及过温保护。凭借快速的传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度以及超低的封装内寄生电感环路，该器件使设计人员能够显著提高功率密度和效率。
商品特性
- 集成栅极驱动器的2.4mΩ半桥GaN FET
- 80V连续工作电压，100V瞬态电压额定值
- 支持高达5MHz的开关频率
- 独立的高侧和低侧PWM输入
- 内部强效智能自举开关
- 快速传播延迟（典型值14ns）
- 出色的延迟匹配（典型值1ns）
- 内置欠压锁定、过压锁定、过温保护
- 35μA低VCC静态电流
- 集成VCC/BST电容
- 高达50V/ns的dv/dt抗扰度
- 可调导通速度
- 针对简便和低电磁干扰PCB布局进行优化
- LGA 5mmx6.5mm封装，1.12mm高度
应用领域
- 半桥、全桥、LLC谐振变换器中的同步整流
- 高频降压和升压变换器
- 数据中心和汽车电源
- D类音频、电机驱动应用