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MS55N100HGB3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS55N100HGB3

N沟道 耐压:1000V 电流:55A

描述
1000V 55A 211mΩ TO-264 高压MOS 大电流
商品型号
MS55N100HGB3
商品编号
C41417733
商品封装
TO-264​
包装方式
管装
商品毛重
11.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.042kW
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)200nC@10V
输入电容(Ciss)8.442nF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)758pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 60 A
  • 改善的dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)

数据手册PDF