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MS55N100HGB3
N沟道 耐压:1000V 电流:55A
- 描述
- 1000V 55A 211mΩ TO-264 高压MOS 大电流
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS55N100HGB3
- 商品编号
- C41417733
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.042kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.442nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 758pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 1000 V,漏极电流(ID) = 55 A
- 导通电阻(RDS(on)) < 0.28 Ω
- 经过雪崩测试并额定电流
- 快速本征整流器
应用领域
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
- MS66N85IDB3
- MS8N90ICT0
- MS330N15JDF4
- MS66N85IDF4
- ESTF60N20UB
- JY-24
- X2001HI-2x03-PTAUN
- X2001HI-2x04-PTAUN
- X2001HI-2x05-PTAUN
- X2001HI-2x06-PTAUN
- X2001HI-2x07-PTAUN
- X2001HI-2x08-PTAUN
- X2001HI-2x09-PTAUN
- X2001HI-2x10-PTAUN
- X2001HI-2x12-PTAUN
- X2001HI-2x14-PTAUN
- X2001HI-2x15-PTAUN
- X2001HI-2x17-PTAUN
- X2001HI-2x25-PTAUN
- 40413
- GMY/led