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S150P06G
1个P沟道 耐压:60V 电流:150A
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- 描述
- MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4，连续漏极电流ID(A):-150A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S150P06G
- 商品编号
- C41406785
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.0725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.123nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85.6pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 20 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的出色封装。