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S100P06F
耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.6～-2.4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5，连续漏极电流ID(A):-100A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S100P06F
- 商品编号
- C41406789
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1866克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.403nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
S8205A是具有强大保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。S8205A符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的Cdv/dt效应抑制能力。采用先进的高单元密度沟槽技术。
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计