温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S25P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:25A
- 描述
- MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):39，连续漏极电流ID(A):-25A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S25P06
- 商品编号
- C41406796
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 667pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(ON) 的高密度单元设计