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S15P06S
N沟道 60V 15A
- 描述
- MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):33，连续漏极电流ID(A):-15A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S15P06S
- 商品编号
- C41406797
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 862pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计
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