温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S150P06T
1个P沟道 耐压:60V 电流:150A
- 描述
- MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.6，连续漏极电流ID(A):-150A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S150P06T
- 商品编号
- C41406786
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7452克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.123nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.583nF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单