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2SK3018W

1个N沟道 耐压:30V 电流:250mA

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描述
1个N沟道 耐压:30V 电流:250mA适用于电源开关和信号控制
商品型号
2SK3018W
商品编号
C41399456
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.0311克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)250mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)20pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+125℃
类型N沟道
输出电容(Coss)12pF

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 30V、250mA,RDS(ON) = 1.5Ω(VGS = 10V时)
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 有绿色环保器件可供选择

应用领域

  • 笔记本电脑
  • 负载开关
  • 电池保护
  • 手持仪器

数据手册PDF