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S8205A
2个N沟道 耐压:20V 电流:9A
- 描述
- 2个N沟道 耐压:20V 电流:6A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- S8205A
- 商品编号
- C41399469
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
S8205A是具有强大保护功能的低导通电阻(RDSON)沟槽型N沟道MOSFET。该产品适用于锂离子电池组应用。S8205A符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的Cdv/dt效应抑制能力。采用先进的高单元密度沟槽技术。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 5.5 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 30 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能出色。