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RQJ0201UGDQATL-E-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RQJ0201UGDQATL-E-VB
- 商品编号
- C41370389
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行 UIS 测试
应用领域
- 电池开关-DC/DC 转换器
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