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DOS4606H
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.3A
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- 描述
- N+P管/30V/6.3A/24mΩ(典型值18mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS4606H
- 商品编号
- C41367287
- 商品封装
- SOP-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 489pF@15V；579pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 9 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好