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BSS169
1个N沟道 耐压:100V 电流:290mA
- 描述
- N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- BSS169
- 商品编号
- C41365204
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 290mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V；2.95Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 29pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 80 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 5 mΩ
- 栅极电荷低。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。