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AO3400-ES
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- AO3400-ES
- 商品编号
- C41365197
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V；50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
AO3400-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO3400-ES为无铅产品。
商品特性
- 30 V，栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 34 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 50 mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换