温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDC610PZ-TP
P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDC610PZ-TP
- 商品编号
- C41348165
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0352克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 15A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关