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IPD068P03L3G-TP
P沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IPD068P03L3G-TP
- 商品编号
- C41348187
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5852克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.887nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 372pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -30V,ID = -80A
- 当VGS=-10V时,RDS(ON)≤8mΩ
- 当VGS=-4.5V时,RDS(ON)≤11mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式设备电池管理
- 电子设备
- 逻辑电平转换
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