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IRF7471TRPBF-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7471TRPBF-TP

N沟道 耐压:40V 电流:15A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
IRF7471TRPBF-TP
商品编号
C41348193
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.3581克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V,8A
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.314nF@15V
反向传输电容(Crss)88pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS)- 30V,漏极电流(ID)- 50A
  • 栅源电压(VGS)~~- 10V时,导通电阻(RDS(ON))为8.0mΩ
  • 典型值:栅源电压(VGS)~~- 4.5V时,导通电阻(RDS(ON))为18mΩ

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF