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IRF5802TRPBF-TP
耐压:150V 电流:1.5A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IRF5802TRPBF-TP
- 商品编号
- C41348189
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0994克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 2A
- 当栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 90mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 130mΩ
- SOT23封装
应用领域
-笔记本电脑-负载开关-网络设备-手持式仪器
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