温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD5N20L-TP
N沟道 耐压:200V 电流:6A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FQD5N20L-TP
- 商品编号
- C41348177
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.5345克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46.9pF |
商品特性
- VDS = 30V，ID = 2A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 90mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 130mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
相似推荐
其他推荐
- H5N2005DS
- IPD068P03L3G-TP
- IPD80P03P4L-07-TP
- IRF5802TRPBF-TP
- IRF5851TRPBF-TP
- IRF7303TRPBF-TP
- IRF7469TRPBF-TP
- IRF7471TRPBF-TP
- IRFL210TRPBF-TP
- IRFR1205TRPBF-TP
- IRFR210TRPBF-TP
- IRFR220NTRPBF-TP
- IRFR5305TR
- IRFR9N20DTRPBF-TP
- IRLML2030TRPBF-TP
- IRLR2705TRPBF-TP
- IRLR3110ZTRPBF-TP
- IRLR8729TRPBF-TP
- IRLR9343TRPBF-TP
- ME20P06
- MI3407